而全球目前几乎所有的7nm以下的芯片,均采用EUV光刻机来制造,所以EUV光刻机,代表的就是全球先进芯片工艺。
考虑到EUV其实也是一代又一代升级,推动着芯片工艺的发展的,所以如果EUV光刻机一旦停止,全球的芯片工艺可能也会停止。
而从目前的情况来看,目前ASML的EUV光刻机,前方已经无路可走,可能要走进死胡同里了。
之前ASML推出的EUV光刻机,是NA=0.33的光刻机,NA代表的是数值孔径,数值孔径越大,进入的光线越多,功率就越大,分辨率就越高,制造的芯片就越先进。
NA=0.33的光刻机,售价大约是1.5亿美元一台,也是当前台积电、三星、英特尔们主要采用的EUV光刻机。
不过ASML认为,到了2nm时,应该要换成另外一种光刻机,也就是NA=0.55的光刻机,NA大了,分辨率就更高了,制造更先进的芯片时,就更容易了。
但这种NA=0.5的光刻机有个缺点,就是贵,售价高达4亿美元一台了。
所以目前才卖出5台,反正台积电称自己不感兴趣,因为太贵了, 计划再研究研究现有的EUV,将NA=0.33的EUV光刻机,尽量用到1.4nm再说,换成新的?台积电说不划算。
这对于ASML而言,是一个巨大打击,从NA=0.33到NA=0.55,ASML研发了10年,花了几上百亿美元,最后如果没人买单,研发就打了水漂了。
而在ASML的计划中,之后其实还有NA=0.75的Hpyer NA EUV光刻机的,不过据称这种光刻机,其售价可能会高达8亿美元。
可以想象的是,这种光刻机制造出来,谁敢买单?毕竟这价格,要制造多少块芯片才能回本?
所以现在业内人士认为,其实ASML的这种EUV光刻机,其实前面是无路可走了,再继续提升NA是毫无意义的,ASML的方向,不是去提高数值孔径,而是换一种另外波长更短的光刻机了,而不是死守13.5nm波长的光线了。
因为波长一变短,NA、分辨率等问题就迎刃而解了,且科学界目前正在寻找合适的 6.7nm 和 4.4nm 波长的光源,但ASML却想着基于13.5nm波长,继续提高数值孔径,没想着换一个方向研发。
当然,现在一切都只是推测,ASML是不是真方向错了,或者未来6.7nm、4.4nm波长的光刻机才是出路,只能用时间来验证了。